化學清洗可以有效對付氧化

點擊次數:   更新時間:16/01/06 16:59:01     來源:www.1bdz.com關閉分    享:
  年關將至,對于我們很多人的傳統,在這之前,一定要對使用的設備、機械等有個好的清理,便于來年的使用。因此更多的清洗方式被應用,而化學清洗自始至終一直是我們喜歡的,因為它可以更好的處理我們常見的也是難以處理的氧化問題。
  氧化反應可以在空氣中發生,或者是在有氧存在的加熱的化學品清洗池中。舉例來說,一般在清洗池中生成的氧化物,肅然薄(100-200),但其厚度足以阻止晶片表面在其它的工藝過程中發生正常的反應。這一薄層的氧化物可成為絕緣體,從而阻擋晶片表面與導電的金屬層之間良好的電性接觸。去除這些薄的氧化層是很多工藝的。有一層氧化物的硅片表面叫做具有吸濕性。沒有氧化物的表面叫做具有憎水性。氫氟酸是去除氧化物的首選酸。在初始氧化之前,當晶片表面只有硅時,將其放入盛有最強的氫氟酸(49%)的池中清洗。氫氟酸將氧化物去除,卻不刻蝕硅片。
  在后面的工藝中,當晶片表面覆蓋著之前生成的氧化物時,用水和氫氟酸的混合溶液可將圓形的孔隙中的薄氧化層去除。這些溶液的強度從100:1到10:7(H2O:HF)變化。對于強度的選擇依賴于晶片上氧化物的多少,因為水和氫氟酸的溶液既可晶片上孔中的氧化物刻蝕掉,又可將表面其余部分的氧化物去除。既要保證將孔中的氧化物去除,同時又不會過分地刻蝕其它的氧化層,就要選擇一定的強度。典型的稀釋溶液是1:50到1:100。
  清洗方式有很多,我們要根據實際情況的不同選擇不同的清洗方式,雖然化學清洗可以有效的處理氧化問題,但并不意味著它可以在所有的方面得到應用,所以選擇的重要性不言而喻。

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